国内存储芯片领域的龙头企业兆易创新日前发布了2026年半年度业绩预告，预计上半年实现归属于母公司的净利润约为69亿元人民币，同比增长幅度高达1099%；扣除非经常性损益后的净利润为48.5亿元，同比增长791%。这一业绩的显著增长主要得益于存储芯片行业的供需紧张，公司主营产品销量和价格均实现增长。此外，公司还通过持有证券投资获得了约20.5亿元的非经常性损益，这部分收益主要来自于证券投资公允价值的上升。
兆易创新的创始人朱一明领导的长鑫科技计划募集资金295亿元，随着其上市的临近，兆易创新和长鑫科技的“设计+制造”国产存储产业链布局进入关键时期，预示着成果的兑现。兆易创新，作为无晶圆厂半导体公司，在NOR Flash、MCU等领域国内领先，被业内誉为“存储设计一哥”。2026年上半年，受全球头部存储巨头产能向AI专用存储芯片倾斜的影响，常规消费级、车规级存储芯片产能被压缩，导致行业供需失衡，产品价格持续上涨，兆易创新因此受益。
公司预计上半年营业收入约115亿元，同比增长177%；归母净利润约69亿元，同比增长1099%；扣非净利润48.5亿元，同比增长791%。其中，69亿元的归母净利润中包含约20.5亿元的非经常性损益，这部分收益主要来自于公司持有的证券投资公允价值上升。
尽管业绩增长显著，兆易创新的股价近期却遭遇回调。市场分析人士认为，业绩增长引发股价下跌，可能是因为前期半导体板块在AI炒作下积累了大量获利盘，当业绩超预期成为常态，市场开始担忧前期亢奋情绪是否过度。面对市场的过热情绪，兆易创新也在公告中主动为投资者降温，提示存储芯片行业历史上的周期性波动特征，目前产品价格已处于历史高位，继续大幅上涨的趋势不可持续，未来盈利能力存在下降风险。
兆易创新的成长脉络与创始人朱一明打造自主可控存储产业链的布局深度绑定。朱一明凭借在硅谷多年的存储芯片研发经验，回国后创办兆易创新，选择NOR Flash作为突破口，并于2008年推出国内首颗SPI NOR Flash。2016年，兆易创新登陆上交所，同年启动合肥DRAM制造项目，长鑫科技正式成立，填补国内存储晶圆制造空白。由此，兆易创新和长鑫科技形成“设计+制造”双轮驱动布局。两大平台分工明确、产业链协同优势显著：兆易创新专注芯片研发设计，长鑫科技聚焦12英寸DRAM晶圆量产。经过多年技术迭代，长鑫科技建成合肥、北京三座12英寸产线，完成四代工艺平台量产，产品覆盖DDR4至DDR5全系列，当前为国内第一、全球第四DRAM厂商。
长鑫科技披露科创板招股意向书，计划募资295亿元用于产线升级、DRAM技术迭代与前沿研发，市场机构预测上市后市值有望冲击2万亿至3万亿元。长鑫科技自身业绩同样深度受益存储涨价周期，2025年成功扭亏，全年营收617.99亿元，归母净利润18.75亿元；2026年上半年，预计营收1100亿至1200亿元，归母净利润500亿至570亿元，同比增长超20倍。朱一明持有长鑫科技2.64%股份，同时实控兆易创新，统筹两大存储平台资源，打通设计订单与晶圆制造产能，降低对外代工依赖，加速国产存储自主化进程。
然而，市场仍存多重不确定性，例如存储芯片涨价幅度逐步收窄，市场担忧未来全球存储大厂集中扩产引发供需反转。后续全球存储产能投放节奏、AI与汽车电子下游真实需求、长鑫科技上市后的产业链协同成效，将成为左右兆易创新业绩与估值走势的核心变量。